A IBM e a Siemens anunciaram uma colaboração de pesquisa para avançar no desenvolvimento da arquitetura nanostack, uma tecnologia de semicondutores apresentada pela IBM em 2026 que utiliza o empilhamento tridimensional de transistores para ampliar a capacidade de processamento dos chips. A parceria busca desenvolver ferramentas de projeto, simulação e fabricação necessárias para levar a tecnologia à produção em escala.
A iniciativa combina a experiência da IBM em dispositivos semicondutores com as tecnologias da Siemens em automação de projetos eletrônicos (EDA), simulação de processos, otimização de litografia e softwares avançados de manufatura.
Um dos principais focos da colaboração será o desenvolvimento de modelos virtuais da arquitetura nanostack, permitindo simular o desempenho dos dispositivos, otimizar projetos e identificar desafios de fabricação antes da produção física dos chips. A proposta é utilizar essas ferramentas para acelerar os ciclos de desenvolvimento tecnológico e enfrentar as limitações envolvidas na fabricação de semicondutores cada vez menores e mais complexos.
Da pesquisa à fabricação de semicondutores
Apresentada pela IBM no início de 2026, a arquitetura nanostack utiliza nanofolhas (nanosheets) para organizar transistores em camadas verticais e posições alternadas, aumentando a quantidade de componentes que podem ser integrados em um único chip.
Segundo a IBM, a arquitetura permite acomodar quase 100 bilhões de transistores em uma área do tamanho de uma unha, considerando seu atual nó tecnológico de 7 angströms. O projeto também possibilita utilizar diferentes combinações de materiais em cada camada, permitindo otimizar individualmente o desempenho e a eficiência energética dos transistores.
A tecnologia representa uma mudança na forma como os semicondutores podem evoluir, ao explorar estruturas tridimensionais para ampliar a densidade de transistores. Entre os benefícios apontados pela IBM estão avanços em desempenho, eficiência energética e escalabilidade das memórias SRAM.
Embora a empresa já tenha demonstrado a viabilidade da arquitetura, ainda são necessários avanços tecnológicos para preparar sua fabricação em escala industrial. É nessa etapa que se concentra a colaboração com a Siemens, incluindo o aprimoramento das técnicas de projeto, simulação e litografia para as futuras gerações da nanostack, além do atual nó de 7 angströms.
Simulação e integração de tecnologias para superar desafios de fabricação
Para Huiming Bu, vice-presidente de Pesquisa e Desenvolvimento de Tecnologia de Silício da IBM, a nanostack representa uma mudança de paradigma para a indústria de semicondutores, ao permitir que a evolução dos dispositivos passe de estruturas bidimensionais para tridimensionais. Segundo o executivo, essa abordagem oferece um caminho para continuar ampliando a capacidade dos circuitos lógicos necessários ao desenvolvimento da inteligência artificial e de outras tecnologias emergentes ao longo da próxima década.
Ankur Gupta, vice-presidente executivo do portfólio de EDA para Circuitos Integrados da Siemens, destaca que a evolução dos semicondutores para a escala dos angströms exige uma integração cada vez maior entre a física dos dispositivos, os softwares de engenharia e os processos de fabricação.
Nesse contexto, a modelagem virtual e a simulação permitem abordar limitações físicas desde as etapas iniciais do projeto, antes da fabricação dos componentes.
A colaboração entre IBM e Siemens pretende, assim, aproximar o desenvolvimento de novas arquiteturas de semicondutores das condições necessárias para sua produção industrial, utilizando ferramentas digitais para apoiar decisões de engenharia e superar desafios técnicos de fabricação.
O trabalho anunciado permanece na etapa de pesquisa e desenvolvimento, sem previsão divulgada para o início da produção comercial dos chips nanostack.
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